|
Нанокристаллы Si_1-x Ge_x в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры [Текст] / А. А. Дружинин, И. П. Островский, Ю. Н. Ховерко [и др.] // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2012. – № 5. – С. 19-21.
Исследовано влияние магнитного поля на электрофизические свойства нитевидных нанокристаллов при низких температурах. |