| |
Нанокарбидные процессы при МОС-эпитаксии III-нитридных структур [Текст] / В. И. Осинський, Н. Н. Ляхова, И. В. Масол [и др.]
// Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. – 2012. – № 1. – С. 62-72.
Обсуждается возможность целенаправленного формирования оптоэлектронных приборов с использованием многообразия углеродных наноструктур. Впервые получена аномальная анизотропная электропроводность с полупроводниковым характером температурной зависимости поверхности накарбидизированного с-сапфира. |
