| |
Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p^+-h-^+-структуры [Текст] / А. В. Каримов, Д. М. Ёдгоров, О. А. Абдулхаев [и др.]
// Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2011. – № 6. – С. 43-45.
Исследования показали, что при уменьшении толщины базовой области пропорционально уменьшается тепловое сопротивление структуры, а зависимость перегрева p-n-перехода от импульсной мощности приближается к экспоненциальной, что увеличивает выдерживаемую мощность. |
