|
Гончаров, В. А. Модель неравновесной кристаллизации для численного решения задачи роста полупроводниковых кристаллов и расплавов [Текст] / В. А. Гончаров, И. В. Азанова, Б. В. Васекин // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2010. – № 5. – С. 5-14.
Построена модель процесса кристализации, объединяющая нестационарную задачу Стефана и класические представления о механизме контрационного переохлаждения расплава. |