| |
Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур [Текст] / В. М. Попов, А. С. Клименко, А. П. Поканевич, Ю. М. Шустов
// Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2010. – № 1. – С. 35-38.
Предложена конструкция ртутного микрозонда для измерения электрофизических характеристик полупроводниковых материалов и ДП-, МДП-структур с локальностью 5-25 мкм. |
