| |
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n-p-m-структура [Текст] / А. В. Каримов, Д. М. Ёдгорова, О. А. Абдулхаев, Ф. А. Гиясова
// Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2009. – № 6. – С. 31-34.
Даны краткие сведения о созданной фототранзисторной структуре. Проанализированы процессы фотогенерации носителей в базе и областях объемного заряда полупроводникового и металлополуповодникового перехода. |
