| |
Петросянц, К. О.
Анализ времени отказа межсоединений субмикронных СБИС [Текст] / К. О. Петросянц, Д. Б. Ширабайкин
// Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2009. – № 3. – С. 87-89.
Для глубоко субмикронныъ СБИС применение стандартных технологий, основанных на использовании алюминия, приводит к тому, что потери проводящих элементах становятся существенными. а электромиграционная надежность алюминевых проводников резко падает. |
