| |
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs-nGaAs последоватеельно соедененными потенциальными барьерами [Текст] / А. В. Каримов, Д. М. Едгорова, Ф. А. Гиясова, Л. Х. Зоирова
// Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2008. – № 3. – С. 52-58.
Исследовано влияние последовательно соедененных потенциальных барьеров на физические процессы, протекающие в гетеропереходе на примере одно- и многобарьерных структур. |
