Рассматривается новое направление анализа элементов кремниевых интегральных схем (ИС), в том числе больших (БИС) и сверхбольших (СБИС), связанное с численным моделированием их свойств и параметров на универсальных ЭВМ. Излагаются способы построения макроскопических моделей элементов на основе фундаментальной системы уравнений физики полупроводников. Для специалистов в области физики полупроводниковых приборов, твердотельной электроники и вычислительной математики, инженерно-технических работников, занимающихся автоматизацией проектирования ИС, а также аспирантов и студентов старших курсов соответствующих специальностей.