| |
Влияние глубоких уровней в буферном слое на характеристики транзистров и малошумящих усилителей при воздействии импульсов СВЧ-мощности [Текст] / И. А. Баранов, А. В. Климова, Л. В. Манченко [et al.]
// Радиотехника. – 2006. – № 3. – 34-42.
Оценены характерные глубины ионизациии и времена перезарядки глубоких уровней в малошумящих полевых транзисторах |
