| |
Булатов, А. Н.
Зондовая технология в наноэлектронике на основе углеродных элементов [Текст] / А. Н. Булатов, В. К. Неволин, Ю. А. Чаплыгин
// Изв.ВУЗов.Электроника. – 2005. – № 4-5. – 98-101.
Доказана возможность создания активных планарных элементов, расположенных в одном слое толщиной не более 10 нм |
