| |
Бобрешов, А. М.
Аналитическая модель для субмикронных HEMT-транзисторов с учетом короткоканальных эффектов [Текст] / А. М. Бобрешов, И. В. Хребтов
// Изв.ВУЗов.Электроника. – 2005. – № 3. – 14-21.
Предложена модель для субмикронных транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT-транзисторов), в которой наряду с эффектом насыщения дрейфовой скорости электронов проведен учет доминирующих эффектов короткого канала |
