| |
Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов [Текст] / А. Горбань, В. Кравчина, Д. Гомольский, Д. Солодовник
// Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2008. – № 3. – 36-40.
Установлено, что диодные структуры с минимальным временем восстановления и максимальным коэффициентом формы тока восстановления могут быть сформированы после облучения электронами с энергией 4 МэВ и флюэнсом 6.1015 см-2 |
