| |
Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев GaAs, легированных кремнием [Текст] / Н. Г. Яременко, М. В. Карачевцева, В. А. Страхов [et al.]
// Изв.ВУЗов.Электроника. – 2008. – № 1. – 10-19.
Методом фотолюминесцентной спектроскопии исследовано влияние давления мышьяка на амфотерное поведение кремния в процессе выращивания слоев GaAs |
