| |
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского [Текст] / Г. П. Ковтун, А. И. Кравченко, А. И. Кондрик, А. П. Щербань
// Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2004. – № 6. – 3-6.
Применительно к методу Чохральского с герметизацией расплава и с погруженным во флюс дополнительным нагревателем изучены зависимости температурного градиента G вблизи фронта кристаллизации в кристалле GaAs от мощности д.н., его удаленности от кристалла, а также от условий теплового экранирования кристалла и флюса при различном соотношении между тепловыми потоками через дно и стенку тигля |
