Електронний каталог науково-технічної бібліотеки Вінницького національного технічного університету
кристалл лазерный
Документи:
- Механизмы изменения показателя преломления лазерного кристалла YAG: Yb при интенсивной накачке [Текст] / О. Л. Антипов, Д. В. Бредихин, О. Н. Еремейкин, Е. В. Ивакин // Квантовая электроника. – 2006. – 36, № 5. – 418-423.
- Антипов, О. Л. Интерферометрические исследования электронных изменений показателя преломления лазерного кристалла Nd:YAG при интенсивной накачке [Текст] / О. Л. Антипов, О. Н. Еремейкин, А. П. Савикин // Квантовая электроника. – 2003. – 33, № 6. – 861-868.
- Спектроскопия и лазерная генерация моноклинных кристаллов KY(WO4)2:Tm [Текст] / С. Н. Багаев, С. М. Ватник, А. П. Майоров [et al.] // Квантовая электроника. – 2000. – 30, № 4. – 310-314.
- Лазерный кристалл 25% Eu : KGd(WO_4)_2 - спектроскопия и генерация на переходе ^5D_0 - ^7F_4 [Текст] / С. Н. Багаев, В. И. Дашкевич, В. А. Орлович [и др.] // Квантовая электроника. – 2011. – Т. 41, № 3. – С. 189-192.
- Твердотельные неодимовые лазеры на кристаллах кальций-галлий-германиевого граната Ca(3)Ga(2)Ge(3)O(12):Nd(3+) с диодной накачкой [Текст] / М. И. Беловолов, С. И. Державин, Д. А. Машковский [et al.] // Квантовая электроника. – 2007. – 37, № 8. – 753-759.
- Перестраиваемая квазинепрерывная двухмикронная лазерная генерация с диодной накачкой на кристаллах смешанных натрий - лантан - гадолиниевых молибдатов и вольфраматов, активированных ионами Tm^3+ [Текст] / Ф. А. Больщиков, Е. В. Жариков, Д. Лис [и др.] // Квантовая электроника. – 2010. – Т. 40, № 10. – C. 847-850.
- Возможности использования современной тепловизионной техники для измерения температуры области генерации твердотельных лазеров при мощной л.д.-накачке [Текст] / В. П. Данилов, Н. Н. Ильичев, В. П. Калинушкин [и др.] // Приборы и техника эксперимента. – 2010. – № 2. – С. 131-137.
- Лазерная генерация в кристалле Tm : Yb_3Al_5O_12 при накачке излучением с длиной волны 1.678 мкм [Текст] / Ю. Д. Заварцев, А. И. Загуменный, Ю. Л. Калачев [и др.] // Квантовая электроника. – 2014. – Т. 44, № 10. – С. 895-898.
- Исследование Tm:Sc_2SiO_5- лазера с накачкой на переходе ^3H_6-^3F_4 ионов Tm^3+ [Текст] / Ю. Д. Заварцев, А. И. Загуменный, Ю. Л. Калачев [и др.] // Квантовая электроника. – 2013. – Т. 43, № 11. – С. 989-993.
- Теплопроводность лазерных кристаллов ванадатов [Текст] / А. И. Загуменный, П. А. Попов, Ф. Зерроук [et al.] // Квантовая электроника. – 2008. – 38, № 3. – 227-232.
- Кулагин, Н. А. Центры окраски и наноструктуры на поверхности лазерных кристаллов [Текст] / Н. А. Кулагин // Квантовая электроника. – 2012. – Т. 42, № 11. – С. 1008-1020.
- Кустов, Е. Ф. Элементы квантовой электроники. Процессы квантовой энергии между ионами в автивированных лазерных кристаллах [Текст]. Ч. II / Е. Ф. Кустов, П. А. Арсеньев ; МВ и ССО СССР, Московский ордена Ленина энергетический институт, кафедра электротехнических материалов и кабелей ; ред. И. А. Щербаков. – Москва, 1972. – 208 с. – 0,55 р.
- Энергетические потоки в гетеролазерах и проблемы теплоотвода [Текст] / П. А. Мержвинский, В. И. Осинский, Ю. Е. Николаенко, С. К. Жук // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. – 2002. – 1(3). – 121-124.
- Пространственно-разрешенный анализ контактных напряжений в линейках лазерных диодов на основе эффекта деформационного потенциала [Текст] / А. В. Фомин, Е. В. Смирнов, А. В. Вязовцев, Н. И. Миловидов // Приборы и техника эксперимента. – 2014. – № 6. – С. 79-84.
|