Електронний каталог науково-технічної бібліотеки Вінницького національного технічного університету
структура тонкопленочная
Документи:
- Батюня, Л. П. Технологические аспекты получения тонкопленочных структур для высокотемпературных сверхпроводников [Текст] / Л. П. Батюня // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2006. – № 1. – 9-12.
- Анализ многослойных тонкопленочных структур методом электронной оже-спектроскопии в условиях перекрывания оже-пиков элементов [Текст] / В. Г. Бешенков, А. Ф. Вяткин, В. В. Амеличев, Д. В. Костюк // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2013. – № 4. – С. 89-92.
- Выставкин, А. Н. Оценка чувствительности болометра, работающего на краю сверхпроводникового фазового перехода в тонкопленочной двухслойной структуре молибден-медь с эффектом близости [Текст] / А. Н. Выставкин, А. Г. Коваленко, С. А. Ковтонюк // Радиотехника и электроника. – 2004. – 49, № 6. – 757-760.
- Использование многофункционального рентгеновского рефлектометра для анализа твердотельных структур микро- и наноэлектроники [Текст] / Н. Н. Герасименко, Д. И. Смирнов, А. Г. Турьянский, Н. А. Медетов // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2011. – № 5. – С. 99-105.
- Влияние предварительного преобразования экспериментальных данных на точность результатов обработки рентгеновских рефлектограмм [Текст] / Д. А. Карташов, Н. А. Медетов, Д. И. Смирнов, Р. С. Орлов // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2011. – № 3. – С. 82-88.
- Инфракрасный микроизлучатель на основе пленочных структур "SIC на диэлектрике" [Текст] / А. В. Корляков, С. В. Костромин, М. М. Косырева [et al.] // Оптический журнал. – 2001. – 68, № 12. – 109-114.
- Маишев, Ю. П. Установка травления и нанесения тонкопленочных структур пучком быстрых нейтральных частиц [Текст] / Ю. П. Маишев, С. Л. Шевчук, Ю. П. Терентьев // Микроэлектроника. – 2015. – Т. 44, № 5. – С. 346-354.
- Масолова, Н. В. Переходные процессы в оптохемотронном устройстве с тонкопленочной электродной структурой [Текст] / Н. В. Масолова, Ю. Т. Жолудов, Н. Н. Рожицкий // Радиотехника. – 2004. – № 136. – 133-138.
- Эффект резистивного переключения в структурах TiN/Hf_xAl_1-xO_y/TiN и TiN/HfO_2/Ti/TiN [Текст] / О. М. Орлов, Е. С. Горнеев, А. В. Шадрин [и др.] // Микроэлектроника. – 2014. – Т. 43, № 5. – С. 337-342.
- Раков, А. В. Спектрофотометрия тонкопленочных полупроводниковых структур [Текст] / А. В. Раков. – Москва : Советское радио, 1975. – 176 с. – 0,55 р.
- Самохвалов, М. К. Вольт-яркостные характеристики люминесцентных пленок ZnS:Mn [Текст] / М. К. Самохвалов, М. О. Тахтенкова // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2009. – № 5. – С. 3-6.
- Тарасов, М. А. Тонкие многослойные алюминиевые структуры для сверхпроводниковых устройств [Текст] / М. А. Тарасов, Л. С. Кузьмин, Н. С. Каурова // Приборы и техника эксперимента. – 2009. – № 6. – С. 122-126.
|