Електронний каталог науково-технічної бібліотеки Вінницького національного технічного університету
фоточувствительность
Документи:
- Высокочувствитвельный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания [Текст] / О. А. Абдулхаев, Д. М. Ёдгорова, А. В. Каримов, Ш. М. Кулиев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2015. – № 4. – С. 24-27.
- Фотоприемные структуры на основе аморфного гидрогенизированного кремния с нанокристаллическими включениями [Текст] / В. П. Афанасьев, А. С. Гудовских, А. П. Сазанов, Н. А. Селюженок // Оптический журнал. – 2001. – 68, № 12. – 101-104.
- Измерение угла отклонения микрозеркала с помощью фоточувствительной матрицы [Текст] / И. М. Бритков, С. С. Евстафьев, Д. О. Злобин [и др.] // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2014. – № 4. – С. 79-81.
- Джвадов, Н. Г. Исследование пленок поликристаллического кремния для применения в фильтровых спектральных приборах [Текст] / Н. Г. Джвадов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2005. – № 1. – 40-41.
- Фоточувствительность световодов с большой концентрацией GeO(2) под действием ближнего УФ излучения (300-350 нм) [Текст] / Е. М. Дианов, А. А. Рыбалтовский, С. Л. Семенов [и др.] // Квантовая электроника. – 2006. – 36, № 2. – С. 145-148.
- Едгорова, Д. М. Особенности фоточувствительности полевого фототранзистора Сp-n переходом, канал которого легирован оловом [Текст] / Д. М. Едгорова // Изв.ВУЗов.Радиоэлектроника. – 2008. – 51, № 5. – 65-71.
- Едгорова, Д. М. Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi [Текст] / Д. М. Едгорова, Э. Н. Якобов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2005. – № 4. – 39-42.
- Запись длиннопериодной решетки в волоконном световоде с помощью излучения второй гармоники фемтосекундного лазера на Ti:сапфире [Текст] / К. А. Загорулько, П. Г. Крюков, Ю. В. Ларионов [и др.] // Квантовая электроника. – 2001. – 31, № 11. – С. 999-1002.
- Керимов, Э. А. Фотоэлектрические и оптические свойства фотодиодов с барьером Шоттки на основе IrSi-Si [Текст] / Э. А. Керимов // Микроэлектроника. – 2016. – Т. 45, № 2. – С. 119-125.
- Фоточувствительность CdSe-электрода, модифицированного наноразмерными частицами CdS и SnO2 [Текст] / Г. Я. Колбасов, Т. С. Лукиянюк, С. М. Малеваный, Э. В. Панов // Украинский химический журнал. – 2004. – 70, № 2. – 103-107.
- Спектральная фоточувствительность Ni-Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением [Текст] / Щ. Д. Курмашев, И. М. Викулин, С. В. Ленков, Р. Г. Сидорец // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2002. – № 6. – 16-19.
- Ларионов, Ю. В. Роль точечных дефектов в фоточувствительности фосфоросиликатного стекла, насыщенного водородом [Текст] / Ю. В. Ларионов // Квантовая электроника. – 2010. – Т. 40, № 5. – С. 441-445.
- Особенности проявления фоточувствительности в фосфоросиликатных световодах с малыми потерями [Текст] / Ю. В. Ларионов, А. А. Рыбалтовский, С. Л. Семенов [et al.] // Квантовая электроника. – 2002. – 32, № 2. – 124-128.
- Фоточувствительность волоконных световодов, легированных различными примесями [Текст] / Ю. В. Ларионов, А. А. Рыбалтовский, С. Л. Семенов [et al.] // Квантовая электроника. – 2004. – 34, № 2. – 175-179.
- Исследование динамики преобразования точечных дефектов в фосфоросиликатных световодах по наведенному показателю преломления [Текст] / Ю. В. Ларионов, А. А. Рыбалтовский, С. Л. Семенов [et al.] // Квантовая электроника. – 2003. – 33, № 10. – 919-925.
- Ларионов, Ю. В. О механизме индуцированного изменения показателя преломления в фосфоросиликатном стекле [Текст] / Ю. В. Ларионов, В. О. Соколов, В. Г. Плотниченко // Квантовая электроника. – 2010. – Т. 40, № 3. – С. 264-268.
- Мелебаев, Д. Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni-n-GaAs [Текст] / Д. Мелебаев, Г. Мелебаева, Ю. Рудь // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2008. – № 1. – 31-34.
- Исследование спектральных характеристик фотоприемников с барьером Шотки на основе p-Si-Au [Текст] / В. В. Минаев, В. В. Уздовский, Р. В. Сондаевский, Вл. В. Уздовский // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2005. – № 1. – С. 12-18.
- Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов [Текст] / В. М. Попов, Ю. М. Шустов, А. С. Клименко, А. П. Поканевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2008. – № 3. – С. 48-51.
- Чувствительность матриц ПЗС с электронным умножением [Текст] / Ф. Ф. Сизов, А. Г. Голенков, В. П. Рева [и др.]. – С. 9-13.
|