Електронний каталог науково-технічної бібліотеки Вінницького національного технічного університету
транзистор біполярний, транзистор биполярный
Документи:
- Osadchuk, O. V. Temperature converter based on IGBT-BJT structure with negative resistance [Текст] / O. V. Osadchuk, S. V. Baraban, B. V. Basich // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій та приладобудування (СПРТП-2017) : матеріали VI Міжнародної науково-технічної конференції, м. Вінниця, 28-30 вересня 2017 р. / МОН України, ВНТУ, НТУ "КПУ ім. І. Сікорського", ХНУРЕ, НУ "Львівська політехніка". – Вінниця : ВНТУ, 2017. – P. 147-148.
- Адамов, Ю. Ф. Методы коррекции электротермической связи в аналоговых блоках на гетероструктурных биполярных транзисторах [Текст] / Ю. Ф. Адамов, А. Г. Сибагатуллин, И. О. Шурчков // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2011. – № 4. – С. 14-18.
- Адамов, Ю. Ф. Компенсация саморазогрева в SiGe ГБТ [Текст] / Ю. Ф. Адамов, В. П. Тимошенков // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2015. – Т. 20, № 3. – С. 323-326.
- Азаров, О. Д. Відбивачі струму з високим і надвисоким вихідним опором на біполярних транзисторах [Електронний ресурс] / О. Д. Азаров, Р. М. Медяний, А. С. Фігас // Вісник Вінницького політехнічного інституту. – 2019. – № 1. – С. 58-64.
- Азаров, О. Д. Відбивачі струму з високим і надвисоким вихідним опором на біполярних транзисторах [Текст] / О. Д. Азаров, Р. М. Медяний, А. С. Фігас // Вісник Вінницького політехнічного інституту. – 2019. – № 1. – С. 58-64.
- Исследование возможности повышения чувствительности биполярных латеральных магниточувствительных транзисторов [Текст] / В. В. Амельничев, Р. Д. Тихонов, М. В. Шорин [et al.] // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2002. – № 1. – 40-43.
- Статистический анализ и оптимизация параметров технологии изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором [Текст] / В. В. Баранов, А. М. Боровик, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2015. – № 1. – С. 38-43.
- Белоус, А. И. Биполярные микросхемы для интерфейсов систем автоматического управления [Текст] / А. И. Белоус, О. Е. Блинков, А. В. Силин. – Л. : Машиностроение. Ленингр. отд-ние, 1990. – 272с : ил. – Библиогр.: с.269-271. – ISBN 5-217-00921-7.
- Бергельсон, И. Г. Транзисторы биполярные [Текст] / И. Г. Бергельсон, В. И. Минц. – Москва : Советское радио, 1976. – 56 с. – (Элементы радиоэлектронной аппаратуры). – 0,18 р.
- Изменение собственного шума усилителя на биполярном транзисторе с гетеропереходом в нелинейном режиме [Текст] / А. М. Бобрешов, Л. И. Аверина, А. В. Хрипушин, Д. А. Макаренко // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2007. – № 4. – 15-20.
- Букашев, Ф. И. SPICE-модель биполярного статического индукционного транзистора [Текст] / Ф. И. Букашев // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2009. – № 5. – С. 15-20.
- Валиев, К. А. Полупроводниковые интегральные схемы памяти на биполярных транзисторных структурах [Текст] / К. А. Валиев, А. А. Орликовский. – М. : Сов. радио, 1979. – 296 с.
- Новый координатно-чувствительный кремниевый пиксельный детектор на основе биполярных транзисторов [Текст] / Д. Л. Волков, Д. Е. Карманов, В. Н. Мурашев [и др.] // Приборы и техника эксперимента. – 2009. – № 5. – С. 47-57.
- Воронин, В. А. Получение арсенид-галлиевых структур силовых биополярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии [Текст] / В. А. Воронин, С. К. Губа, И. В. Курило // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2010. – № 2. – С. 31-35.
- Голуб, В. Новый биполярный SiGe транзистор [Текст] / В. Голуб // Электронные компоненты и системы. – 2000. – № 10. – С. 15-16.
- Грехов, И. В. Исследование работы биполярного транзистора в режиме наносекундного размыкателя тока [Текст] / И. В. Грехов, А. В. Рожков // Приборы и техника эксперимента. – 2016. – № 1. – С. 85-87.
- Влияние ионизирующих излучений на параметры операционного усилителя на комплементарных биополярных транзисторах [Текст] / О. В. Дворников, В. А. Чеховский, В. Л. Дятлов, Н. Н. Прокопенко // Микроэлектроника. – 2016. – Т. 45, № 1. – С. 57-65.
- Конфигурируемая аналоговая интегральная микросхема с программируемыми параметрами [Текст] / О. В. Дворников, В. А. Чеховский, В. Л. Дятлов, Н. Н. Прокопенко // Приборы и техника эксперимента. – 2016. – № 4. – С. 60-64.
- Евдокимов, В. Д. Численное моделирование влияния углерода в активной базе на быстродействие SiGe ГБТ [Текст] / В. Д. Евдокимов, Ю. А. Чаплыгин // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2016. – № 4. – С. 387-390.
- Игумнов, Д. В. Полупроводниковые устройства непрерывного действия [Текст] / Д. В. Игумнов, Г. П. Костюнина. – М. : Радио и связь, 1990. – 256с : ил. – Библиогр.: с.253. – ISBN 5-256-00725-4.
- Кабальнов, Ю. А. Повышение частотных свойств биполярных транзисторов при использовании буферного слоя поликристаллического кремния на эмиттере [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 : защищена 25.12.87 / Юрий Аркадьевич Кабальнов; Таганрог. радиотехнич. ин-т. – Таганрог, 1987. – 16 с. – Библиогр.: с.15-16.
- Козлов, А. В. Механизм возникновения отрицательной относительной чувствительности по току латеральных биполярных магниточувствительных транзисторов [Текст] / А. В. Козлов, М. А. Ревелева, Р. Д. Тихонов // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2003. – № 5. – 57-62.
- Моделирование высокоэффективных усилителей мощности на биполярном транзисторе [Текст] / В. Г. Крыжановский, Ю. В. Рассохина, А. Н. Рудякова, И. Н. Шевченко // Изв.ВУЗов.Радиоэлектроника. – 2002. – 45, № 12. – 61-70.
- Кузнецов, Г. В. Поля температур поверхности кристалла мощного биполярного транзистора [Текст] / Г. В. Кузнецов, А. В. Белозерцев // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2007. – № 1. – 22-27.
- Кузнецов, Г. В. Численное моделирование пространственного поля температур в силовом транзисторе [Текст] / Г. В. Кузнецов, А. В. Белозерцев // Радиотехника. – 2006. – № 3. – С. 62-66.
- Магазинник, Л. Т. Система управления двухтактным транзисторным инвертором [Текст] / Л. Т. Магазинник // Изв.ВУЗов.Электромеханика. – 2006. – № 2. – С. 42-44.
- Малашин, М. В. О переходных процессах в ключах на последовательно соединенных биполярных транзисторах с изолированным затвором [Текст] / М. В. Малашин, С. И. Мошкунов, В. Ю. Хомич // Приборы и техника эксперимента. – 2016. – № 2. – С. 67-70.
- Кремниевый координатный детектор заряженных частиц и излучений на основе функционально-интегрированных структур с наномикронными активными областями [Текст] / В. Н. Мурашев, С. А. Леготин, О. М. Орлов [и др.] // Приборы и техника эксперимента. – 2010. – № 5. – С. 41-46.
- Николаевский, И. Ф. Параметры и предельные режимы работы транзисторов [Текст] / И. Ф. Николаевский, Д. В. Игумнов. – Москва : Советское радио, 1971. – 384 с. – 1,38 р.
- Новиков, С. Г. Моделирование и исследование биполярного транзистора с передаточной N- образной вольт-амперной характеристикой [Текст] / С. Г. Новиков, Н. Т. Корнеев И .В. Гурин // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2010. – № 4. – С. 14-19.
- Овсянников, Н. И. Кремниевые биполярные транзисторы [Текст] : Справочное пособие / Н. И. Овсянников. – Мн. : Выш. шк., 1989. – 302с. – ISBN 5-339-00211-Х.
- Осадчук, В. Визначення розподілу концентрації інжектованих носіїв заряду при дії магнітного поля в біполярному транзисторі [Текст] / В. Осадчук, О. Осадчук // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій та приладобудування (СПРТП-2011) : матеріали V Міжнародної науково-технічної конференції / МОНМС України, ВНТУ, Вінницька філія ВАТ "Укртелеком". – Вінниця : ВНТУ, 2011. – С. 134-135.
- Осадчук, В. С. Розподіл концентрації інжектованих носіїв заряду в базовій області при дії магнітного поля в біполярних магніточутливих структурах [Електронний ресурс] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук // Наукові праці Вінницького національного технічного університету. – 2011. – № 3. – С. 1-6.
- Осадчук, В. С. Математична модель частотного перетворювача тиску на основі структури біполярного і польового транзисторів з від'ємним опором [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, Б. Г. Кадук // Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах. – 2000. – № 1. – С. 61-65.
- Осадчук, В. С. Дослідження частотного перетворювача магнітної індукції на основі двох біполярних транзисторів [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, В. В. Мартинюк // Вісник ВПІ. – 2003. – № 6. – С. 111-112.
- Осадчук, В. С. Частотний перетворювач концентрації газу на основі двох біполярних транзисторів з активним індуктивним елементом [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, М. О. Прокопова // Вісник ВПІ. – 2005. – № 2. – С. 86-90.
- Осадчук, В. С. Радіовимірювальний тепловий витратомір газу з частотним виходом [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, Ю. А. Ющенко // Інформаційні технології та комп'ютерна інженерія. – 2008. – N2(12). – С. 12-18.
- Осадчук, О. В. Дослідження фотореактивного ефекту в біполярних транзисторах [Текст] / О. В. Осадчук // Вісник ВПІ. – 2001. – № 3. – С. 95-103.
- Осадчук, О. В. Експериментальне дослідження оптико-частотних сенсорів температури [Текст] / О. В. Осадчук, В. П. Деундяк, М. В. Деундяк // Вісник Вінницького політехнічного інституту. – 2011. – № 6. – С. 239-244.
- Осадчук, О. В. Математична модель мікроелектронного частотного сенсора оптичного випромінювання [Текст] / О. В. Осадчук, А. О. Семенов, В. К. Задорожний // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. – 2009. – № 1. – С. 187-192.
- Петросянц, К. О. Влияние параметров слоя кремний-германиевой базы на эффект саморазогрева в структуре гетеропереходного биполярного транзистора [Текст] / К. О. Петросянц, М. В. Кожухов // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2015. – Т. 20, № 6. – С. 648-651.
- Петросянц, К. О. Влияние щелевой диэлектрической изоляции на тепловой режим SiGe гетеропереходного биполярного транзистора [Текст] / К. О. Петросянц, Р. А. Торговников // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2011. – № 5. – С. 106-108.
- Петросянц, К. О. Особенности моделирования SiGe:C гетеропереходного биполярного транзистора [Текст] / К. О. Петросянц, Р. А. Торговников // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2009. – № 2. – С. 30-34.
- Петухов, В. М. Биполярные транзисторы средней и большой мощности низкочастотные и их зарубежные аналоги [Текст] : Справочник. Т.2 / В. М. Петухов. – М. : КУбК-а, 1997. – 544с : ил. – ISBN 5-85554-149-5.
- Плутешко, А. В. Компенсация фазового фликкер-шума в усилителе мощности на биполярном транзисторе [Текст] / А. В. Плутешко, Д. П. Царапкин // Радиотехника и электроника. – 2012. – Т. 57, № 4. – С. 437-440.
- Попов, В. П. Малошумящие усилители на основе SiGe-HBT для сверхширокополосных систем [Текст] / В. П. Попов, В. П. Сидоренко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2013. – № 1. – С. 13-18.
- Інформаційна технологія моделювання біполярних транзисторів хвилевими цифровими фільтрами [Текст] / В. А. Ровінський, О. Ю. Фуфалько, Ю. Й. Стрілецький, О. В. Євчук // Вісник Вінницького політехнічного інституту. – 2013. – № 5. – С. 81-84.
- Сасункевич, А. А. Экспериментальное исследование явления накопления дефектов в сверхвысокочастотных биполярных транзисторах при воздействии последовательности электрических импульсов [Текст] / А. А. Сасункевич, Л. Н. Сорокин, В. Г. Усыченко // Радиотехника и электроника. – 2013. – Т. 58, № 6. – С. 635-640.
- Сасункевич, А. А. Экспериментальное исследование выгорания сверхвысокочастотных биполярных транзисторов при воздействии последовательности электрических импульсов [Текст] / А. А. Сасункевич, Н. Л. Сорокин, В. Г. Усыченко // Радиотехника и электроника. – 2016. – Т. 61, № 7. – С. 702-710.
- Сергеев, В. А. Аналитическая модель неизотермического распределения плотности мощности в структурах биполярных транзисторов [Текст] / В. А. Сергеев // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2005. – № 3. – С. 22-28.
1
2
|