Електронний каталог науково-технічної бібліотеки Вінницького національного технічного університету
подложка кремниевая
Документи:
- Анизотропное травление канавок в кремнии с высоким аспектным отношением и апертурой 30-50 нм. в двухстадийном циклическом плазмохимическом процессе [Текст] / С. Н. Аверкин, В. Ф. Лукичев, Н. А. Орликовский [и др.] // Микроэлектроника. – 2015. – Т. 44, № 2. – С. 98-108.
- Особенности морфологии пленок оксида титана, полученных вытягиванием кремниевых подложек из раствора [Текст] / А. Н. Белов, И. М. Гаврилин, С. А. Гаврилов, А. А. Дронов // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2010. – № 6. – С. 8-11.
- Влияние ориентации подложки на захват кремния в А-И В-подрешетки арсенида галлия при молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / И. А. Бобровникова, М. Д. Вилисова, Л. Г. Ивонин [и др.] // Изв.ВУЗов.Физика. – 2002. – № 4. – С. 82-85.
- Оценка параметров чувствительности КМОП БИС по одиночным тиристорным эффектам при лазерном воздействии со стороны подложки [Текст] / А. А. Печенкин, Д. В. Савченков, О. Б. Маврицкий [и др.] // Микроэлектроника. – 2015. – Т. 44, № 1. – С. 41-48.
- Тонкопленочный конденсатор на основе титаната стронция, сформированного золь-гель методом [Текст] / Анараки Х. Сохраби, Н. В. Гапоненко, М. В. Руденко [и др.] // Микроэлектроника. – 2015. – Т. 44, № 6. – С. 476-480.
- Спирин, В. Г. Конструкторско-технологичиские варианты коммутационных плат с подложкой из кремния [Текст] / В. Г. Спирин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2005. – № 1. – С. 48-50.
- Чаплыгин, Ю. А. Зависимость теплового сопротивления мощного МОП-транзистора на подложке кремний-на- изоляторе от конструктивно-технологических параметров его структуры [Текст] / Ю. А. Чаплыгин, Е. А. Артамонова, А. Ю. Красюков // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2011. – № 5. – С. 44-47.
|