Електронний каталог науково-технічної бібліотеки
Вінницького національного технічного університету
метод Чохральського, метод Чохральского
Документи:
- Високотемпературний відпал кристалів PbMoO4 нестехіометричного складу [Текст] / Т. М. Бочкова, М. Д. Волнянський, Д. М. Волнянський, В. С. Щетинкін // Український фізичний журнал. – 2003. – 48, № 2. – 128-131.
- Ростовые кислородсодержащие дефекты в кремнии, выращенном в слабом вертикальном магнитном поле [Текст] / Д. И. Бринкевич, В. Б. Оджаев, А. Н. Петлицкий, В. С. Просолович // Микроэлектроника. – 2011. – Т. 40, № 4. – С. 309-312.
- Дешко, В. І. Радіаційно-конвективний теплообмін при вирощуванні кристалів частково прозорих матеріалів методом Чохральського [Текст] / В. І. Дешко, А. Я. Карвацький // Наукові вісті НТУУ "КПІ". – 2001. – № 2. – 17-24.
- Tm : Sc_2SiO_5лазер ([ламбда]=1.98 мкм) с диодной накачкой [Текст] / Ю. Д. Заварцев, А. И. Загуменный, Ю. Л. Калачев [и др.] // Квантовая электроника. – 2011. – Т. 41, № 5. – С. 420-422.
- Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского [Текст] / Г. П. Ковтун, А. И. Кравченко, А. И. Кондрик, А. П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2004. – № 6. – 3-6.
- Оксанич, А. П. Моделирование процессов образования дислокаций под действием термических напряжений в слитках GAAS, выращиваемых из расплава методом Чохральского с жидкостной герметизацией [Текст] / А. П. Оксанич, Л. Г. Шепель, В. В. Батареев // Прикладная радиоэлектроника. – 2005. – 4, № 2. – 185-194.
- Петренко, В. Р. Вплив технологічних параметрів на розподіл кисню в монокристалах кремнію, вирощених методом Чохральського [Текст] / В. Р. Петренко, В. А. Тербан, Л. Г. Шепель // Фізика і хімія твердого тіла. – 2007. – 8, № 4. – 801-805.
- Сольский, И. М. Получение оптически однородных монокристаллов ниобата лития больших размеров [Текст] / И. М. Сольский, Д. Ю. Сугак, В. М. Габа // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2005. – № 5. – 55-61.
- Таланін, В. І. Дослідження процесів утворення мікродефектів у бездислокаційних монокристалах кремнію, вирощених методом Чохральського [Текст] / В. І. Таланін, І. Є. Таланін // Український фізичний журнал. – 2002. – 47, № 12. – 1153-1157.
|
