|
Болесов, И. А. Измерение диффузионной волны неосновных носителей заряда в тонких пластинах полупроводниковых кристаллов [Текст] / И. А. Болесов, В. П. Астахов, В. В. Карпов // Приборы и техника эксперимента. – 2003. – № 2. – 93-95.
Метод измерения диффузионной длины неосновных носителей заряда и оценки скорости поверхностной рекомбинации в тонких пластинах кремния заключается в измерении фототока через пластину с мелкозалегающими идентичными p-n-переходами большой площади на ее обеих сторонах |