| |
Полярно-чувствительные N-образные входные вольт-амперные характеристики симисторной структуры [Текст] / С. Б. Бакланов, Н. Т. Гурин, Е. В. Лычагин [et al.]
// Изв.ВУЗов.Электроника. – 2003. – № 6. – 17-21.
Получено семейство входных вольт-амперных характеристик структуры планарно-диффузионного симистора. Проанализирован процесс возникновения на входных характеристиках N-образного участка |
