| |
Нишизава, Д. -.
Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов [Текст] / Дж.-И. Нишизава, Т. Курабаяши
// Изв.ВУЗов.Физика. – 2003. – 46, № 6. – 27-34.
Исследовано влияние стехиометрии на различные свойства соединений III-V |
