| |
Поклонский, Н. А.
Экранирование электрического поля и квазистатическая емкость индуцированного заряда в полупроводниках с прыжковой электропроводностью [Текст] / Н. А. Поклонский, С. А. Вырко
// Изв.ВУЗов.Физика. – 2002. – 45, № 10. – 70-76.
Получены выражения для длины экранирования внешнего электростатического поля в кристаллическом полупроводнике по Дебаю-Хюккелю и Шотки-Мотту при прыжковой миграции электронов по водородоподобным донорам |
