| |
Исследование возможности повышения чувствительности биполярных латеральных магниточувствительных транзисторов [Текст] / В. В. Амельничев, Р. Д. Тихонов, М. В. Шорин [et al.]
// Изв.ВУЗов.Электроника. – 2002. – № 1. – 40-43.
Приведены результаты измерения чувствительности биполярного транзистора с различной структурой: c подложкой служащей базой; с карманом - базой; при нелинейной нагрузке в виде p - МОП-транзисторов, включенных по схеме токового зеркала |
