| |
Мощные полупроводниковые лазеры (0.89 - 1.06мкм) на основе квантоворазмерных напряженных структур в системе InGaAs/(Al)GaAs с малой расходимостью излучения [Текст] / П. Булаев, А. Мармалюк, А. Падалища [et al.]
// Квантовая электроника. – 2002. – № 3. – 213-215.
Получены полупроводниковые лазеры с выходной мощностью до 4 Вт в непрерывном режиме и расходимостью излучения в плоскости |
