| |
Особливості росту самоорганізованих наноострівців Ge на кремнієвій підкладці [Текст] / М. Я. Валах, В. М. Джаган, З. Ф. Красильник [et al.]
// Український фізичний журнал. – 2002. – № 2. – 167-171.
Використовуючи атомну силову мікроскопію (АСМ) та спектроскопію КРС, встановлено залежності цільності, об'єму та форми Ge-наноострівців від товщини епітаксіального германівського шару та температури кремнієвої підкладки |
