| |
Кретушев, А. В.
Сверхразрешение на сингулярных участках фазовых изображений [Текст] / А. В. Кретушев, В. П. Тычинский
// Квантовая электроника. – 2002. – 32, № 1. – 66-70.
С помощью лазерного фазового микроскопа "Эйрискан" показана возможность локализации элементов структуры поверхности с большим градиентом высоты профиля и линейными размерами 25-40 нм, что соответствует превышению рэлеевского критерия в 10-15 раз |
