| |
Вынужденное излучение GaAs:Er,O на длине волны 1538 нм [Текст] / П. Г. Елисеев, С. В. Гастев, А. Коизуми [и др.]
// Квантовая электроника. – 2001. – 31, № 11. – С. 962-964.
Изучено спонтанное излучение и оптическое усиление в эпитаксиальных слоях GaAs, легированных эрбием и кислородом и выращенных МОС-гибридным методом. |
