|
Горбацевич, А. А. Моделирование резонансно-туннельных структур с учетом классического окружения [Текст] / А. А. Горбацевич, В. М. Колтыженков, А. Г. Цибизов // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2001. – № 4. – 61-69.
Изучена простая численная модель для учета влияния классического окружения резонансно-туннельных диодов, основанная на разделении прибора на квантовые и классические области |