| |
Горбатый, И. Н.
Многопериодное накопление носителей заряда в p-i-n-структуре [Текст] / И. Н. Горбатый
// Изв.ВУЗов.Электроника. – 2001. – № 3. – 22-28.
Показано, что на начальном этапе переходного процесса происходит диффузное заполнение i-области носителями заряда из осциллирующих источников электронов и дырок, расположенных вблизи полупроводниковых переходов. |
