| |
Смирнов, А. И.
ВАХ кремниевых полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом в условиях глубокого охлаждения [Текст] / А. И. Смирнов
// Изв.ВУЗов.Электроника. – 2001. – № 2. – 59-65.
Показана возможность повышения радиоционной стойкости ИК фотоприемных устройств на примесном кремнии при построении схемы считывания фотосигналов на основе полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом. |
