| |
Эффекты упорядочения при формировании наноструктур на основе SiGe/Si [Текст] / К. С. Максимов, Н. Н. Герасименко, М. Н. Павлюченко, И. В. Вернер
// Изв.ВУЗов.Электроника. – 2001. – № 2. – 3-16.
Представлены экспериментальные данные и современные теории процессов упорядочения при эпитаксиальном росте наноструктур на основе SiGe/Sі. |
