| |
Комов, А. Н.
Радиоэлектрический эффект в структурах n-3C-SiC/n-Si в трехсантиметровом диапазоне длин волн [Текст] / А. Н. Комов, В. И. Чепурнов
// Изв.ВУЗов.Электроника. – 2001. – № 1. – 76-79.
Рассмотрен радиоэлектрический эффект в полупроводниковой структуре карбид кремния на кремниевой подложке на частоте 10 ГГц в интервале температур 200-300 К. |
