| |
Влияние обработки поверхности и нагрева на высоту потенциального барьера контактов к SiC [Текст] / О. А. Агеев, А. М. Светличный, Н. А. Ковалев, Р. Н. Разгонов
// Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2001. – № 2. – 37-41.
Рассмотрено влияние обработки поверхности полупроводника до нанесения металла и термообработки сформированной системы "металл-SiC" на высоту барьера |
