| |
Каримов, М.
О природе эффекта возрастания времени жизни носителей заряда при облучении n-Si(P, Rh) [Текст] / М. Каримов, А. К. Караходжаев
// Изв.ВУЗов.Физика. – 2000. – 43, № 6. – 3-6.
Предложен механизм, объясняющий этот эффект на основе представлений об увеличении флуктуационных потенциальных барьеров при радиационном воздействии. |
