| |
Вихрев, С. П.
Особенности формирования барьера в структурах металл - неупорядоченный полупроводник [Текст] / С. П. Вихрев, Н. В. Вишняков, А. А. Маслов
// Изв.ВУЗов.Электроника. – 2000. – № 3. – 48-54.
На примере системы металл - нелигированный аморфный гидрогенизированный кремний рассмотрены особенности формирования потенциального барьера типа Шотки на контанте металл - аморфный полупроводник с участием электрически активных электронных состояний, лежащих вблизи уровня Ферми. |
