| |
Гой, Р.
Густина електронних станів у сполуках A(I)B(III)C2VI) [Текст] / Р. Гой, Б. Лукіянець
// Журнал фізичних досліджень. – 2000. – 4, № 1. – 43-47.
У рамках кластерного наближення досліджено якісні зміни густини електронних станів у CuInSe2, викликані зміщенням атома індію ізовалентними атомами Al та Ga |
