Об'єктом дослідження є процес генерації в InN- та варизонних GaInN-діодах Ганна з омічними катодним та анодним контактами та довжиною активної області 1 мкм. Метою роботи є оптимізація структури варизонного GaInN-діода для отримання максимальної потужності та частоти коливань при мінімальній потужності постійного струму. Підтверджено перспективність використання варизонного GaInN-шару в InN-діоді для підвищення потужності електричних коливань, зниження необхідної потужності постійного струму та зменшення залежності вихідних характеристик від концентрації електронів.