|
Павлов, Л. М. Структурна і параметрична оптимізація джерела опорної напруги [Текст] / Л. М. Павлов, Д. Ю. Лебедев // Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка. – 2022. – Т. 65, № 7. – С. 433-444.
В статті показана можливість зниження температурного коефіцієнту для джерела опорної напруги (ДОН), побудованого на біполярних транзисторах. Для цього першим кроком запропоновано поділити температурний діапазон роботи ДОН на два інтервали. Оскільки найімовірнішим для експлуатації є інтервал з додатними значеннями температури, то такий поділ надає можливість удвічі зменшити температурний коефіцієнт для найімовірнішої робочої області при відповідному налаштуванні ДОН. При введенні вагових коефіцієнтів для оптимізації ДОН перевага надана робочому інтервалу саме додатних температур. |