|
Коливальний НВЧ контур на основі реактивних властивостей транзисторів у діапазоні надвисоких частот [Текст] / О. В. Осадчук, В. С. Осадчук, С. В. Фенченко, Р. О. Сідорук // Матеріали I Міжнар. наук.-техн. конф. "Сучасні проблеми інфокомунікацій, радіоелектроніки та наносистем (СПІРН-2019)", 14-16 листоп. 2019 р. : з нагоди 50-річчя ФІРЕН / ВНТУ, НТУ "КПІ" ім. І. Сікорського, ХНУР. – Вінниця : ІРВЦ ВНТУ, 2019. – С. 124-125.
Розглянуто теоретичне та експериментальне дослідження коливального НВЧ контуру на основі реактивних властивостей транзисторів у діапазоні надвисоких частот. Представлено аналітичні вирази функції перетворення і рівняння добротності. |