У статті шляхом розв'язання рівняння дифузії у просторі розмірів для переохолодженого розплаву показано, що велика швидкість росту монокристалів термоелектричних матеріалів на основі телуриду вісмуту у гексагональних площинах спайності у порівнянні зі швидкістю їх росту вздовж С-вісі зумовлена різкою відмінністю коефіцієнтів дифузії та самодифузії у цих матеріалах у гексагональній площині та перпендикулярно до неї.