| |
Удосконалення методу отримання поруватих плівок GAAS з використанням нечіткого контролера [Текст] / А. П. Оксанич, В. М. Чебенко, С. Е. Притчин [та ін.]
// Радиоэлектроника и информатика. – 2019. – № 2. – С. 4-9.
Досліджувалися структури GaAs: Sn-GaAs: Si на яких формувався поруватий шар, який отримували анодним травленням з боку структури n-GaAs: Si. в HF: H2O в різних пропорціях, управління травленням виконується за допомогою нечіткого контролера. |
