Електронний каталог науково-технічної бібліотеки
Вінницького національного технічного університету

ПРАВИЛА КОРИСТУВАННЯ ЕК
          Кругляк, Ю. А.
    Физика нанотранзисторов:рассеяние электронов и модель прохождения MOSFET [Текст] / Ю. А. Кругляк
    // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. – 2019. – Т. 17, № 2. – C. 225-254.

   Подробно расмотрена качественная картина явлений рассеяния электронов в канале проводимости нанотранзисторов и сформулированы важнейшие результаты в виде сводки формул (18), в которой ключевым является понятие о коэффициенте прохождения Т(Е), связывающем среднюю длину свободного пробега назад с длиной каналапроводимости L.

  


            


Є складовою частиною документа Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології [Текст] : збірник наукових праць / НАН України, ін-т металофізики ім. Г. В. Курдюмова. – 2019. – Т. 17, № 2.



Теми документа






Український Фондовий Дім Інформаційно-пошукова система
'УФД/Бібліотека'