| |
Фотогальванический эффект при оптических переходах для ультраквантового предела между спиновыми зонами уровней Ландау [Текст] / Н. Н. Чернышов, Н. И. Слипченко, А. В. Белоусов, М. А. Алкхавалдех
// Радиотехника. – 2018. – № 194. – С. 112-118.
Статья посвящена исследованию фотогальванического эффекта в GaAs при оптических переходах между спиновыми подзонами уровней Ландау для ультраквантового предела. |
