|
Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработкой [Текст] / А. В. Каримов, А. З. Рахматов, О. А. Абдулхаев [и др.] // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2018. – № 4. – С. 33-37.
Приведены результаты исследования вольт-амперных и емкостных характеристик кремниевой диодной p^+-p-n-n^+-структуры, облученной флюенсами быстрых электронов. |