| |
Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры [Текст] / О. А. Абдулхаев, Д. М. Ёдгорова, А. В. Каримов [и др.]
// Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2018. – № 4. – С. 21-27.
Приведены результаты исследования механизма токопереноса и спектральной фоточувствительности трехбарьерной фотодиодной структуры m_1-pGaAs-nGaAs-m_2 с эффектом смыкания двух смежных переходов. |
