| |
Семчев, А.
Использование параллельного включения SiC MOSFET [Текст] / А. Семчев
// Радиокомпоненты. – 2017. – № 1-2. – С. 24-30.
В статье рассматриваются особенности параллельного включения карбидокремниевых (SiC) полевых транзисторов, которые, по сравнению с кремниевыми ключами, исследованы очень слабо. |
