| |
Следующее поколение транзисторов на основе технологии ENHANCED TRENCH [Текст] / Р. Мунаф, К. Кьяра, А. Макси [и др.]
// Электронные компоненты. – 2017. – № 5. – С. 60-63.
В этой статье рассматриваются новые устройства с более высокими номинальными токами, реализованные путем комбинации МОП-ячеек ЕТ-IGBT и структуры BIGT. |
